产品名称：NDTEK雅世恒源 反射热成像测温系统-ImageTR

NDTEK雅世恒源 反射热成像测温系统-ImageTR

主要特点：
· 金属覆盖，半导体材料等均可测温
· 器件表面无需处理或喷涂
· 可生成高达 2048×2048像素的温度分布图
· 高达300nm的空间分辨率
· 高达50ns的时间分辨率，可以**测量微秒级脉冲宽度的瞬态热分布
· 工作距离大，方便探针布设
· 界面直观友好、操控分析易于掌握

在半导体领域，射频功率器件、光电子器件及MEMS器件的热分布检测分析，是研究、评估性能和可靠性的关键。随着制程工艺进入几十纳米量级，器件集成度飙升、功率密度大增，发热区域缩小至亚微米级，工作频率超5GHz，工作温度显著升高。像GaN类HEMT器件和GaAs类pHEMT器件，单指栅长仅0.25μm或0.5μm，发热区域不足0.5μm，在脉冲偏置下1μs内温度变化超100℃。传统检测手段已不能适应这种小尺寸、高射频环境，无法快速精准捕捉微小发热区域，难以满足器件优化与可靠性提升需求。   ImageTR系列反射热显微成像测温系统是针对微电子器件瞬态温度场的测量而专门研发设计。基于可见光（紫外）光反射技术，通过捕捉材料表面反射率随温度的变化，精准反推半导体器件的温度分布，其分辨率比传统的红外热成像系统高出十倍。它具备300nm的高空间分辨率、50ns的高时间分辨率的核心优势。

直观用户界面用于查看和定位被测器件、控制数据采集过程，并显示*终的温度场形态。图形界面灵活易用，并可根据需求进行定制，加入器件定位和激活控制功能。采集到的温度图以二进制格式存储在电脑中，可通过软件读取，用于查看和数据分析，也可导出为常用的数据可视化格式。ImageTR可实现像素级的图像对齐，实现精细的逐像素校准和温度图精度。

ImageTR系统兼具速度、准确性和直观的用户控制功能，不仅能测量半导体器件结温，深度分析器件表面瞬态热分布与成像过程，还能快速检测热点区域、定位表面缺陷，尤其是金属层覆盖下的热点定位。

系统结构紧凑、性能可靠，能够**测量第三代半导体氮化镓器件GaN HEMT等射频功率器件，碳化硅器件FinFET、MOSFET、IGBT 等功率器件、先进制程工艺下的逻辑芯片（28nm、14nm、7nm）以及光电子器件的稳态与瞬态热分布，为关键芯片的结温测量及可靠性分析提供坚实的技术保障。 ImageTR的产品性能与国外同类产品相当，在测试效率和易用性方面更具优势，助力半导体产业提高检测效率高质量发展。

雅世恒源测试实验室备有热反射显微成像系统、显微红外热成像系统，可为有需求的客户提供演示、可行性样品测试验证服务，帮助客户深入了解产品性能。同时，面向行业客户开展专业的检测服务。如需了解详情或预约服务，欢迎洽询！

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