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  • 产品名称：IDEAOPTICS复享 MetronME 穆勒矩阵椭偏仪

  • 产品型号：
  • 产品厂商：IDEAOPTICS复享
  • 电话：13246646513 13682357549
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简单介绍：
IDEAOPTICS复享 MetronME 穆勒矩阵椭偏仪
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IDEAOPTICS复享 MetronME 穆勒矩阵椭偏仪





193-1690nm

16组全穆勒矩阵

可拓展Mapping

复享科研级穆勒矩阵椭偏仪MetronME是针对科研级用户开发的一款高速、高精度、高稳定性光学测量仪器，基于多层膜干涉和椭偏测量原理，可实现透明、半透明介质膜、金属膜的膜厚和光学常数表征，以及块材光学常数表征；还包括各种各向同性/异性薄膜材料膜厚、光学纳米光栅常数以及一维/二维纳米光栅材料结构的表征分析；适用于半导体、液晶面板、太阳能电池、光学镀膜等行业。

先进的双旋转补偿器测量技术

193-1690nm超宽测量波段

可拓展检测全晶圆膜厚均匀性

高速光谱采集技术

可视化样品对准

软件具备强大的数据分析能力

支持扩展毫米级大光斑测量、200μm和80μm微光斑测量三种模式





先进的双旋转补偿器测量技术
单次测量可获取16组全穆勒矩阵光谱；可实现Muller Matrix、椭偏参数Psi&Delta (N&C&S)、反射率R、透射率T、偏振反射率Rp/Rs、偏振透射率Tp/Ts、偏振度DOP光谱的高精度测量；

 

覆盖宽测量波段
测量波段*宽为 193~1690nm，有多种波段配置供选择；

 

可实现反射椭偏、透射椭偏
可配备45° – 90°自动可变的入射角，配备自动找焦功能；可实现反射椭偏以及透射椭偏，分别适配晶圆以及光学玻璃等不同样件的精准表征；

 

可拓展检测全晶圆膜厚均匀性
可支持拓展 4~12寸晶圆 Mapping 功能，用于检测全晶圆膜厚均匀性；

 

支持扩展三种光斑模式
支持扩展毫米级大光斑测量、200μm和80μm微光斑测量三种模式；

 

可视化样品对准
便于进行微区测量；

 

软件具备强大的数据分析能力
材料库包括上百种典型材料光学常数，人机交互方便快捷。

技术参数

 

技术参数

技术参数

参数指标

仪器配置

双旋转补偿器型

测量波段

*宽193-1690nm
（可选配245-1000nm，193-1000nm, 245-1690nm，193-1690nm）

测量范围

1nm-10μm

波长间隔

＜0.78nm @VIS,  < 3.5nm @1000-1690nm

测量参数

Mueller Matrix, Psi&Delta, N&C&S, R&T, Rp/Rs, Tp/Ts, DOP

大光斑尺寸

1-8mm可调

微光斑尺寸（选配）

可选配200μm或80μm

入射角

65°定角

单次测量时间

≤ 10s

对焦方式

可选手动/自动对焦调节

冷热台（选配）

-190℃到500℃

数据采集与分析软件

支持多模式数据采集，可测量膜厚（单层 / 多层），支持Excel/TXT/CSV格式；

内置数百种常用材料光学常数（半导体、介质、金属、聚合物、氧化物等），支持用户自定义材料库与批量导入；

内置Tauc Lorentz、Cauchy、Sellmeier、Lorentz、Drude等主流色散模型，适配不同材料光学常数拟合；支持各向异性、退偏样品表征。

膜厚重复性精度 (1s)

优于0.005nm (100nm硅基SiO2膜，30次测量)

折射率重复性精度(1s)

优于0.0002 (100nm硅基SiO2膜，n@633nm, 30次测量)

 

应用领域

 

半导体制程

 

光学元件

 

钙钛矿光伏

 
 

伴随着CMOS器件的持续缩小,传统的栅介质材料SiO2由于不可接受的隧穿漏电流和本身可靠性的问题,导致其继续作为栅介质材料的应用达到了物理极限。高介电常数材料（如HfO₂）成为热点。因此研究高介电材料薄膜在不同退火工艺后的电学性能也成为精准管控先进制程的栅极性能、存储可靠性的关键需求。具体包括检测不同工艺后样品是否保持非晶结构，通过n&k推导其介电常数，测量等效氧化层的厚度等。还有隔离层（如SiO₂/SiNₓ）的测定的色散特性与n&k值，可以确保3D NAND堆叠层间光学匹配，避免信号干扰。

  AR/VR眼镜、相机镜头常用的复合多层增透涂层，其每层的膜厚和n&k值是决定这两大功能是否达标的关键变量；因此更需要无损、准确的膜厚和n&k的协同检测来提升工艺和良率。尤其是多层增透膜中的超薄过渡层（如MgF₂，5-10nm），以及红外窗口的超薄抗腐蚀光学膜（3-8nm），准确测定这些超薄膜的膜厚及其专用光学常数，是同步匹配光学元件的膜系设计需求，保障光学透过率、反射率的精准控制的专业手段。  

伴随着CMOS器件的持续缩小,传统的栅介质材料SiO2由于不可接受的隧穿漏电流和本身可靠性的问题,导致其继续作为栅介质材料的应用达到了物理极限。高介电常数材料（如HfO₂）成为热点。因此研究高介电材料薄膜在不同退火工艺后的电学性能也成为精准管控先进制程的栅极性能、存储可靠性的关键需求。具体包括检测不同工艺后样品是否保持非晶结构，通过n&k推导其介电常数，测量等效氧化层的厚度等。还有隔离层（如SiO₂/SiNₓ）的测定的色散特性与n&k值，可以确保3D NAND堆叠层间光学匹配，避免信号干扰。

 

 

 

 

钙钛矿光伏

 

显示面板

 
 

有机-无机卤化物钙钛矿型太阳能电池（PSC）在过去几年中经历了极快的发展，作为*有前途的光伏器件之一。精准检测其膜厚和光学常数（主要n&k值，含钙钛矿膜的光吸收系数等专属参数），是支撑电池效率优化的关键；也是钙钛矿光伏量产检测的核心手段。

  在**显示面板（AMOLED、柔性 OLED、LTPO OLED）的量产制程中， OLED器件的发光亮度与寿命，是该行业工艺优化的关键管控对象，也是显示面板行业从 LCD 向** OLED 升级的关键技术维度。其中涉及的OLED器件的超薄有机发光层（EML，5-9nm）、封装超薄阻隔层（Al₂O₃，3-7nm）；还有柔性触控屏的超薄ITO透明导电膜（5-10nm）柔性传感器的超薄敏感膜（如金属纳米膜，4-9nm）；这些超薄膜层的膜厚及光学常数的管控，就成了行业工艺的关键。





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