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  • 产品名称：IDEAOPTICS复享 MetronME-XT-300 全自动穆勒矩阵椭偏仪

  • 产品型号：
  • 产品厂商：IDEAOPTICS复享
  • 电话：13246646513 13682357549
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简单介绍：
IDEAOPTICS复享 MetronME-XT-300 全自动穆勒矩阵椭偏仪
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IDEAOPTICS复享 MetronME-XT-300 全自动穆勒矩阵椭偏仪





193-1690nm

4~12寸晶圆 Mapping

可选择200μm或80μm微光斑

复享全自动穆勒矩阵椭偏仪MetronME-XT-300是基于多层膜干涉和椭偏测量原理，可实现透明、半透明介质膜、金属膜的膜厚和光学常数表征，以及块材光学常数表征；还包括各种各向同性/异性薄膜材料膜厚、光学纳米光栅常数以及一维/二维纳米光栅材料结构的表征分析；具备对位传感器自动对准，支持兼容4-12寸自动化Mapping扫描多点测量；适用于半导体、液晶面板、太阳能电池、光学镀膜等行业。

双旋转补偿器测量技术

193-1690nm超宽测量波段

自动变角/自动对焦

4~12寸晶圆全自动 Mapping

微区测量，200μm或80μm微光斑可选；可视化样品对准

可选冷热台，强大拓展功能





双旋转补偿器测量技术
单次测量可获取 16组全穆勒矩阵光谱；可实现 Muller Matrix、椭偏参数Psi&Delta (N&C&S)、反射率R、透射率T、偏振反射率Rp/Rs、偏振透射率Tp/Ts、偏振度DOP；

 

宽测量波段
测量波段*宽为 193~1690nm，有多种波段配置供选择；

 

可实现反射椭偏、透射椭偏
可配备45° – 90°自动可变的入射角，配备自动找焦功能；可实现反射椭偏以及透射椭偏，分别适配晶圆以及光学玻璃等不同样件的精准表征； 

 

4~12寸晶圆 全自动Mapping 
配备自动位移台，支持兼容 4~12寸晶圆 Mapping 功能，扫描路径参数化与自定义设置；支持自动对焦模块；

 

200μm/80μm微光斑
200μm或80μm微光斑可选；可视化样品对准，实现微区精准测量；  

 

可选冷热台，丰富附件拓展功能
配备气泵实现样件稳定吸附，-190℃到500℃冷热台可选；还可配合应用实现多种硬件软件拓展；

 

 强大的数据分析能力
配备强大数据分析能力软件，材料库包括上百种典型材料光学常数，人机交互方便快捷。

 

 

技术参数

 

  技术参数

   型号

信息详情

 MetronME-XT-300

全自动穆勒矩阵椭偏仪

 

 系统性能

   项目内容

信息详情

   仪器配置

双旋转补偿器型

   测量波段

*宽193-1690nm

（可选配245-1000nm，193-1000nm, 245-1690nm，193-1690nm）

   测量范围

1nm~10μm

   波长间隔

＜0.78nm @VIS, < 3.5nm @1000-1690nm

   测量参数

Mueller Matrix, Psi&Delta, N&C&S, R&T, Rp/Rs, Tp/Ts, DOP

   大光斑尺寸

1-8mm可调

   微光斑尺寸（选配） 

≤200μm

   超微光斑尺寸（选配）

≤80μm

  入射角 

45°~90° 自动可变，或65°定角

 单次测量时间

≤10s

 对焦方式 

自动对焦调节

 位移台行程

XY 向行程 ≥200mm

 Mapping 方式

扫描路径参数化、自定义设置；可生成膜厚/折射率/MSE分布云图；

                   冷热台（选配） -190℃到500℃

 数据采集与分析软件 

支持多模式数据采集，可测量膜厚（单层 / 多层）, 支持Excel/TXT/CSV格式；
内置数百种常用材料光学常数（半导体、介质、金属、聚合物、氧化物等），支持用户自定义材料库与批量导入；
内置Tauc Lorentz、Cauchy、Sellmeier、Lorentz、Drude等主流色散模型，适配不同材料光学常数拟合；支持各向异性、退偏样品表征。

 膜厚重复性精度（1σ） 

优于 0.005nm（100nm 硅基 SiO₂膜，30 次测量）

                  折射率重复性精度（1σ）  优于0.0002 (100nm硅基SiO2膜，n@633nm, 30次测量)

 

典型应用领域

半导体先进制程

  光学元件  

光伏电池

伴随着CMOS器件的持续缩小,传统的栅介质材料 SiO₂ 由于不可接受的隧穿漏电流和本身可靠性的问题,导致其继续作为栅介质材料的应用达到了物理极限。高介电常数材料（如 HfO₂）成为热点。因此研究高介电材料薄膜在不同退火工艺后的电学性能也成为精准管控先进制程的栅极性能、存储可靠性的关键需求。具体包括检测不同工艺后样品是否保持非晶结构，通过 n&k 推导其介电常数，测量等效氧化层的厚度等。还有隔离层（如 SiO₂/SiNₓ）的测定的色散特性与 n&k值，可以确保 3D NAND 堆叠层间光学匹配，避免信号干扰。

 

AR/VR眼镜、相机镜头常用的复合多层增透涂层，其每层的膜厚和n&k值是决定这两大功能是否达标的关键变量；因此更需要无损、准确的膜厚和 n&k 的协同检测来提升工艺和良率。尤其是多层增透膜中的超薄过渡层（如 MgF₂，5~10nm），以及红外窗口的超薄抗腐蚀光学膜（3~8nm），准确测定这些超薄膜的膜厚及其专用光学常数，是同步匹配光学元件的膜系设计需求，保障光学透过率、反射率的精准控制的专业手段。

 

薄膜光电材料 TOPCon光伏电池的超薄隧穿氧化层（SiO₂，1~5nm，光伏专用超薄膜）、HJT 电池的超薄非晶硅本征层、以及 OLED器件的超薄有机发光层（EML，5~9nm）、封装超薄阻隔层（Al₂O₃，3~7nm）等等超薄膜层的厚度与其专用光学常数（主要 n&k值，含光伏膜层的折射率均匀性、OLED 膜层的透光系数等专属参数）的测定，均能助力支撑光电性能调控；直接关联电池的光电转换效率、是该行业工艺优化的关键。





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